IBM与Lam Research合作攻关亚1nm高NA EUV工艺，突破先进制程瓶颈

IBM与Lam Research合作攻关亚1nm高NA EUV工艺，突破先进制程瓶颈

作者：泷澹电子信息产业网编辑部

2026年3月13日，IBM与Lam Research宣布签署五年战略合作协议，共同攻关亚1nm节点高NA EUV（极紫外光刻）工艺技术，推进先进制程量产，突破摩尔定律极限。这一合作将加速全球半导体产业向1nm以下工艺迈进，为AI、量子计算等前沿技术提供硬件支撑。

高NA EUV是实现亚1nm制程的核心技术。当前，台积电、三星等企业正推进2nm工艺量产，采用传统NA 0.33 EUV光刻技术。但进入1nm以下节点，传统EUV技术面临分辨率不足、良率低下等瓶颈。高NA EUV（NA 0.55）通过提升数值孔径，将分辨率提升至8nm以下，可满足亚1nm制程需求，但技术难度极大，全球仅少数企业具备研发能力。IBM与Lam Research的合作将聚焦三大核心领域：1. 高NA EUV光刻工艺开发：联合开发适用于亚1nm节点的光刻胶、掩膜版、刻蚀工艺，解决高NA EUV技术落地的关键难题；2. 新材料研发：攻关亚1nm节点所需的新型半导体材料，包括二维材料、铁电材料等，提升器件性能与能效比；3. 先进封装技术：开发3D堆叠、小芯片（Chiplet）等先进封装技术，弥补先进制程良率不足，提升芯片集成度。

IBM在先进半导体工艺领域拥有深厚技术积累，曾率先实现7nm、5nm工艺研发。Lam Research作为全球领先的半导体设备供应商，在刻蚀、沉积、清洗等设备领域占据主导地位，其高NA EUV配套设备已进入客户验证阶段。双方合作将实现“工艺+设备”的深度协同，加速技术成熟。合作目标明确：到2028年，实现亚1nm高NA EUV工艺量产，良率达到60%以上；到2030年，推出0.7nm工艺技术，支撑万亿晶体管芯片设计。

亚1nm工艺是全球半导体产业的下一个制高点。SEMI预测，2026-2030年，全球先进制程（14nm及以下）市场规模将从3000亿美元增长至6000亿美元，年复合增长率达18%。高NA EUV技术的突破，将决定未来十年全球半导体产业格局。当前，全球先进制程竞争白热化。台积电、三星、英特尔均在加速高NA EUV研发，IBM与Lam Research的合作将形成新的竞争力量。对于中国半导体产业而言，需加快在先进制程、光刻设备、材料等领域的自主创新，缩小与国际先进水平的差距。

为确保合作顺利推进，双方已成立联合研发团队，投入超50亿美元研发资金，在全球多个地区设立研发中心，整合双方的技术资源与人才优势。同时，双方还计划与全球顶尖高校、科研机构开展合作，共同攻克亚1nm制程的核心技术难题。此外，IBM与Lam Research还将加强与半导体产业链上下游企业的合作，推动高NA EUV相关设备、材料的产业化，为亚1nm工艺量产奠定基础。业内分析指出，IBM与Lam Research的合作将加速亚1nm工艺的落地进程，推动摩尔定律持续演进，为AI、量子计算、自动驾驶等前沿技术的发展提供强大的硬件支撑。同时，这一合作也将加剧全球先进制程领域的竞争，推动半导体技术不断创新升级。

数据来源：IBM与Lam Research官方公告、SEMI、电子工程专辑、半导体行业协会

免责声明：本文技术路线、量产时间基于企业合作协议，实际落地进度可能受技术难题影响。