2026年2月，集邦咨询大幅上调全球存储芯片价格预测，将第一季度DRAM合约价涨幅由此前55%–60%上调至90%–95%，NAND Flash涨幅由33%–38%上调至55%–60%。调整主因是AI服务器需求爆发，HBM与高性能DRAM供不应求，三大原厂三星、SK海力士、美光控制资本开支，库存维持低位。数据显示，主流DDR4 8Gb合约价自2025年9月以来累计上涨超83%，NAND 128Gb产品涨幅近1.5倍。HBM作为AI算力核心部件，2026年全年产能已被云厂商提前锁定，价格持续攀升。消费电子端，手机与PC存储成本占比显著提升，12GB+256GB配置成本较去年同期翻倍。集邦咨询预计，2026年存储芯片涨价将贯穿全年，供给端扩产释放要到2027年才逐步显现。下游服务器、手机、PC厂商面临巨大成本压力，行业加速洗牌，头部企业凭借长协与规模优势占据主动。
作者：泷澹电子信息产业网
数据来源：集邦咨询（TrendForce）存储市场报告
