三星、SK海力士加码在华扩产，1.5万亿韩元投资应对AI存储短缺
作者：泷澹电子信息产业网编辑部
2026年3月，全球存储芯片格局迎来重大调整。韩国两大存储巨头三星电子与SK海力士同步宣布，合计在华投资超1.5万亿韩元（约合69亿元人民币），升级中国工厂产能以应对AI时代HBM与高端DRAM/NAND的全球性短缺。
三星电子率先行动，投资8000亿韩元升级西安NAND闪存工厂，将现有产线从176层升级至236层（第八代V-NAND），月产能提升40%。西安工厂是三星在海外最大的NAND生产基地，产品主要供应全球智能手机、数据中心与AI服务器市场。此次升级后，三星在华NAND产能将占其全球总产能的35%以上。SK海力士紧随其后，投资7500亿韩元升级无锡DRAM工厂，将工艺从1z nm提升至1a nm，并全面量产DDR5内存。无锡工厂是SK海力士在海外唯一的DRAM生产基地，当前月产能约15万片，升级后将提升至20万片，成为全球最大的单厂DDR5生产基地。同时，SK海力士计划在重庆新建HBM专用产线，预计2027年投产，月产能达5万片。
两大韩厂在华扩产的核心驱动力，是AI服务器对高端存储的爆发式需求。当前全球HBM产能严重不足，Stargate项目单月需求即达全球产能两倍，终端客户拿货率仅三成，价格持续上涨。为弥补缺口，三星与SK海力士同步在韩国本土新建P4、M15X及龙仁集群，目标2027年合计月产能提升至410–420万片。中国工厂在其全球战略中地位显著提升。一方面，中国拥有全球最大的电子制造与数据中心市场，本地化生产可缩短交付周期、降低物流成本；另一方面，中国在先进封装、测试领域的配套能力不断完善，为高端存储芯片量产提供支撑。
此次扩产也反映出全球存储产业的地缘格局变化。尽管美国持续推动供应链“去风险化”，但存储巨头仍无法忽视中国市场的重要性。三星与SK海力士在华投资，既满足中国市场需求，也为全球AI产业提供关键支撑。SEMI中国总裁冯莉表示，在AI算力驱动下，中国已成为全球半导体产业增长的核心引擎。2026年，中国半导体市场规模预计达2500亿美元，占全球总量的30%以上。
从具体落地情况来看，三星西安工厂的升级工程已正式启动，预计2026年第三季度完成调试并实现量产，升级后的236层NAND闪存将具备更高的存储密度与读写速度，可满足AI服务器、高端智能手机等产品的需求。SK海力士无锡工厂的1a nm DDR5内存产线已进入试生产阶段，产品良率达到85%以上，预计2026年第二季度全面量产。此外，SK海力士重庆HBM产线已完成土地规划与前期筹备，将采用全球最先进的生产技术，投产后将进一步提升其在全球HBM市场的份额。此次扩产也将带动中国本土配套产业发展，吸引更多上下游企业入驻，完善中国存储芯片产业链生态。同时，两大韩厂的在华投资也将促进中韩半导体产业的技术交流与合作，推动全球存储产业的协同发展。
数据来源：新浪财经、韩联社、SEMI中国、电子元件技术网
免责声明：本文产能数据、投资金额基于企业公开信息，实际投产时间、产能利用率可能受市场波动影响。
