2026年2月24日，中微公司宣布其Primo DC-R刻蚀机成功通过长江存储232层3D NAND量产验证，进入批量采购清单，国产化率达70%。这标志着国产刻蚀设备在高端存储芯片制造环节实现关键突破，打破海外厂商长期垄断。3D NAND层数提升对刻蚀均匀性、深度控制提出极高要求，中微设备凭借等离子体技术与工艺优化，满足良率与产能要求。长江存储作为国内唯一具备自主架构的3D NAND厂商，加速供应链本土化有助于降低成本、保障安全。当前全球存储芯片供不应求，长江存储扩产提速，对国产设备需求大幅增加。中微公司同时在逻辑芯片先进制程领域突破，进入海内外多家晶圆厂供应链。业内评价，设备是半导体产业“心脏”，此次突破不仅利好中微与长江存储，更推动整个国产存储产业链成熟。未来随着200层以上NAND普及，国产设备有望实现更大份额替代。
作者：泷澹电子信息产业网
数据来源：中微公司公告、长江存储供应链信息
