2025年底至2026年初，全球存储芯片市场迎来史诗级涨价潮，DRAM、NAND闪存价格大幅飙升，其中HBM（高带宽内存）因AI服务器需求爆发，成为全球争抢的战略资源，彻底改写存储芯片产业格局。根据TrendForce集邦咨询数据，2025年9月至2026年2月，主流DRAM价格暴涨75%，服务器内存价格涨幅接近90%，DDR4 16GB内存现货均价从12.8美元飙升至79美元，涨幅超过500%；NAND闪存价格上涨55%-60%，256GB UFS4.0闪存涨幅达80%-90%，成本直接翻倍。此次涨价的核心原因的是供需失衡，2022-2023年存储行业寒冬期间，三星、SK海力士、美光三大巨头大幅减产，导致产能收紧，而2025年AI服务器需求爆发，对HBM的需求呈指数级增长，三大巨头纷纷将先进制程产能转向HBM，进一步挤压了普通DRAM、NAND的产能。其中，SK海力士凭借HBM4率先量产的优势，市场份额大幅提升，超越三星成为全球最大DRAM厂商，其HBM产能在2026年已提前售罄。存储芯片的涨价不仅影响终端电子设备成本，导致手机、PC等产品价格上调，更凸显了HBM在AI时代的战略价值，全球主要企业纷纷加大HBM研发与产能投入，争夺AI算力核心资源，存储芯片产业进入“AI驱动”的全新发展周期。
作者：泷澹电子信息产业网
数据来源：TrendForce集邦咨询、瑞银、花旗、国金证券机构研报
