2025年第四季度，全球先进制程竞赛进入白热化阶段，台积电、英特尔、三星三大巨头先后宣布2nm级制程量产，正式开启下一代半导体技术的竞争格局，直接决定未来AI芯片、高端消费电子芯片的性能上限。2025年10月，台积电率先宣布2nm工艺（N2）实现规模化量产，该工艺采用GAA纳米片架构，晶体管密度达313 MTr/mm²，较3nm工艺提升20%，同等性能下功耗降低24%-35%，良率已突破90%，高雄厂P1生产线月产能达4-5万片，苹果A20系列、英伟达新一代AI芯片已锁定首批产能。同年11月，英特尔宣布18A工艺（等效2nm级）规模量产，该工艺采用RibbonFET（GAA架构变种）+PowerVia背面供电双革新，性能较上代提升10%-15%，重点瞄准AI、HPC等高端场景，已获得外部客户风险试产订单。12月，三星正式官宣2nm GAA工艺量产，推出全球首款2nm移动芯片Exynos 2600，号称CPU性能提升39%、AI算力暴涨113%，但良率仅50%，低于台积电与英特尔。此次三大巨头的量产决战，形成了两大技术阵营，台积电采用“先GAA后背面供电”路线，三星与英特尔则同步推进“GAA+背面供电”，这场竞争不仅关乎企业自身的市场地位，更将影响全球半导体产业链的技术走向，为下一代芯片性能升级奠定基础。
作者：泷澹电子信息产业网
数据来源：台积电、英特尔、三星官方公告、EnSemi行业分析报告
